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新型涂層工藝——電鍍

發(fā)布時(shí)間：2021-12-21 16:54:33  瀏覽次數：
1. Ni-Co合金鍍層

Ni-Co合金鍍層具有優(yōu)異的高溫耐磨性能，已經(jīng)成功應用到鋼廠(chǎng)連鑄連軋機的關(guān)鍵部件結晶器表層,大幅度提高了結晶器的使用壽命。連鑄結晶器的工作θ在350℃左右。連鑄結晶器應具有良好的導熱性,同時(shí)還需承受與鋼坯之間的摩擦。為此,連鑄結晶器通體采用銅合金制造，并在結晶器與鋼坯相接觸的表面制備層厚度在數毫米的高溫耐磨材料層。
Ni-Co合金鍍層優(yōu)異的高溫耐磨性能正適應了結晶器對與鋼坯相接觸表面的高溫耐磨性要求。目前，Ni-Co合金鍍層已經(jīng)大量應用在連鑄結晶器表層鍍層材料(圖1)。

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2.電鍍納米金屬多層膜
納米金屬多層膜是一-種由厚度在納米尺度的不同金屬層交替疊加形成的金屬多層膜。由于構成納米金屬多層膜的各金屬材料層的厚度在納米尺度,這類(lèi)薄膜材料往往表現出納米材料獨特的力學(xué)性能、電磁學(xué)性能和光學(xué)性能。天津大學(xué)姚素薇等采用電鍍技術(shù)制備了Ni80Fe20/Cu納米多層膜(圖2)。當多層膜結構[ NiFe( 16 nm )/Cu(26nm)]為80層時(shí)，巨磁電阻GMR值可達64%。

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3.復合鍍技術(shù)
復合鍍技術(shù)通過(guò)將無(wú)機材料以及高分子材料的粉體加入鍍液中，攪拌使之在鍍液中均勻分散，伴隨著(zhù)電鍍或化學(xué)鍍過(guò)程的進(jìn)行將這類(lèi)粉體包埋進(jìn)鍍層,形成復合鍍層材料。
這類(lèi)復合鍍層材料兼具基體金屬材料及彌散分布于基體金屬中的無(wú)機或高分子材料的優(yōu)勢，表現出優(yōu)異的綜合性能.采用化學(xué)復合鍍的方法制備(Ni-P)-ZrO2復合鍍層的成分及鍍層斷面的掃描電鏡照片如圖3所示。
由圖3可以看出,ZrO2顆粒在Ni-P合金基體中均勻分布。這種(Ni-P)-Zr02復合鍍層的硬度超過(guò)600HV (圖4)，熱處理后的硬度更超過(guò)900HV。

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改變復合鍍層中基體金屬或復合顆粒，可以得到不同性能的復合鍍層。將圖4中的ZrO2顆粒換成SiC顆粒，同樣采用化學(xué)復合鍍的方法制備的(Ni-P)-SiC化學(xué)復合材料鍍層,熱處理后的硬度可達1200HV[16)(圖5)。

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為了改善純Ni鍍層的摩擦學(xué)性能，將具有自潤滑性能的聚四氟乙烯( PTFE)顆粒與Ni復合，可以制備出具有良好自潤滑特性的Ni-PTFE復合鍍層。
圖6為Ni-PTFE復合鍍層中PTFE質(zhì)量分數對摩擦系數的影響。由圖6可以看出，隨著(zhù)鍍液中PTFE顆粒濃度的增加，Ni-PTFE復合鍍層的摩擦系數不斷降低，最低接近0.06。

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目前，應用于復合電鍍的基質(zhì)金屬以及復合微粒的種類(lèi)還非常有限。將更多種類(lèi)的基質(zhì)金屬與更大范圍的微粒進(jìn)行復合鍍，相信會(huì )有性能更多樣化也更優(yōu)異的復合鍍層出現。



2印制板及電子封裝中電鍍技術(shù)的應用


電鍍技術(shù)的最大特點(diǎn)，在于其制造過(guò)程是從原子、離子尺度開(kāi)始，而且無(wú)需高溫高壓等苛刻條件，易于實(shí)現定點(diǎn)定位生長(cháng)。電鍍技術(shù)的這一-特點(diǎn)，使其在印制板及電子封裝領(lǐng)域成為不可替代的關(guān)鍵技術(shù)。
1.芯片中的電鍍金屬互聯(lián)技術(shù)
摩爾預測，每隔24個(gè)月單位面積上集成晶體管的數量將翻倍。目前的集成電路技術(shù)處在22/20納米技術(shù)節點(diǎn)。未來(lái)硅基晶體管還將繼續縮小，從現有的22納米技術(shù)代一.路發(fā)展到4納米技術(shù)代。目前，集成電路中接觸孔工藝已經(jīng)被局域互連技術(shù)替換。局域互連技術(shù)的關(guān)鍵在于第一層金屬圖形形成之前先形成通孔，再采用基于電鍍技術(shù)的雙大馬士革工藝同時(shí)填充金屬Cu(圖7圖8)。

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2.三維電子封裝技術(shù)
隨著(zhù)集成電路中晶體管數量的逐年成倍增加，三維集成與封裝技術(shù)越來(lái)越顯示出其重要性。目前，三維集成與封裝技術(shù)發(fā)展的重點(diǎn)在于三維疊層封裝以及封裝體的三維疊層，而鍵合技術(shù)則是實(shí)現三維疊層的關(guān)鍵。由于金屬/焊料微凸點(diǎn)鍵合在電氣互連、散熱以及結構支撐等方面具有的優(yōu)勢,已經(jīng)成為鍵合技術(shù)中的關(guān)鍵技術(shù)。高密度的微凸點(diǎn)是實(shí)現金屬/焊料微凸點(diǎn)鍵合的基礎。將光刻掩膜技術(shù)與金屬電鍍技術(shù)相結合制備出的尺寸精確的凸點(diǎn)，完全能夠達到三維疊層對微凸點(diǎn)鍵合的要求(圖9)。

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將集成電路晶片上的銅配線(xiàn)技術(shù)與多層聚酰亞胺印制板技術(shù)相結合形成的在多層印制板內的IC封裝技術(shù)( Wafer And Board level Embedded Tech-nology，W ABE Technology@),可以制備出集成電路內藏基板(圖10)。這一技術(shù)已經(jīng)開(kāi)始應用于新一代系統封裝以及手機基板。

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3.超高密度印制板及層間互聯(lián)技術(shù)
近年市場(chǎng)上出現的各種新型便攜式電子產(chǎn)品已經(jīng)普遍采用超高密度印制電路板。這類(lèi)產(chǎn)品中的超高密度印制電路板不僅是各種組件的承載平臺,更借助于立體封裝技術(shù)實(shí)現了系統整合(圖11)。
由印制線(xiàn)路的高密度化以及更高的接點(diǎn)密度形成的超高密度印制線(xiàn)路板已經(jīng)成為未來(lái)印制板技術(shù)的發(fā)展方向。超高密度印制板技術(shù)的關(guān)鍵在于任意層間的金屬互連技術(shù)。任意層間的金屬互連技術(shù)可實(shí)現超高密度印制板內所有相鄰兩層之間的電氣連接。
通過(guò)電鍍銅技術(shù)實(shí)現超高密度印制板內任意相鄰兩層之間的盲孔連接，是目前應用最為廣泛的任意層間金屬互連技術(shù)(圖12)。

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3微電機系統中電鍍技術(shù)的應用


微電子系統與微機械系統相結合形成的微電機系統( MEMS) ,其特點(diǎn)是尺寸微小，功能強大。
近年，隨著(zhù)人工智能技術(shù)的高速發(fā)展，MEMS產(chǎn)業(yè)已經(jīng)全方位快速滲透到軍事、醫療、生物、仿生學(xué)及航空航天等領(lǐng)域。構成微電機系統的零部件尺度都在微米甚至納米。
電鍍技術(shù)是一一個(gè)從原子、離子尺度開(kāi)始的材料制造以及零部件制造技術(shù)。電鍍技術(shù)與光刻蝕技術(shù)相結合發(fā)展而成的MEMS技術(shù),已經(jīng)成為MEMS領(lǐng)域的尖端技術(shù)(2426)。
圖13為采用電鍍MEMS技術(shù)制造的金屬部件照片，圖14為MEMS模塊中微小的機械部件照片,圖15為采用MEMS技術(shù)制造的納米泵技術(shù),圖16為EPSON公司采用MEMS技術(shù)制造的微型飛行器,圖17為采用MEMS技術(shù)制造的可移動(dòng)微型機器人。

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4零部件及設備再制造中電鍍技術(shù)的應用


零部件的失效表現在其尺寸偏離設計值。零部件失效導致設備不能正常運行，甚至報廢。再制造的意義，在于對零部件實(shí)施再制造后，不僅零部件的尺寸恢復到最初設計值，而且失效設備的壽命超過(guò)新品。再制造技術(shù)是實(shí)現節約型社會(huì )、循環(huán)經(jīng)濟的需要。
由于電鍍技術(shù)易于實(shí)現材料的定點(diǎn)、定位生長(cháng)，制造過(guò)程也無(wú)需高溫、高壓。此外，現有的各種高性能鍍層制造技術(shù)(例如高溫抗氧化鍍層、耐磨鍍層及耐腐蝕鍍層等)也使得失效零部件的再制造成為可能。電鍍技術(shù)的上述特點(diǎn)使其成為零部件及設備再制造中的關(guān)鍵技術(shù)采用電鍍技術(shù)對失效泵的泵體、齒輪箱和蓋子等部件進(jìn)行再制造，再更換新的齒輪、軸、軸承、密封件、轉子和轉子螺母，就完成了泵的再制造過(guò)程(圖18、圖19)。

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采用電鍍技術(shù)對失效中央空調壓縮機[圖20(a)]的失效部件進(jìn)行再制造后[圖20(b)]，重新組裝的中央空調壓縮機[圖20(c)]的性能及壽命均超過(guò)新品。

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                                                                                                                       5結束語(yǔ)


伴隨著(zhù)21世紀高科技的大量涌現，電子零部件的微型化趨勢，以及國家可持續發(fā)展戰略的實(shí)施，為電鍍技術(shù)的應用提供了前所未有的大量機遇，同時(shí)也給電鍍技術(shù)的發(fā)展提出了
方面面的挑戰。電鍍工作者需要不斷拓展思路，大膽創(chuàng )新?？梢韵嘈?，未來(lái)的電鍍技術(shù)將成為更多高技術(shù)領(lǐng)域的尖端技術(shù)。


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